מעגל משולב מקורי חדש BSP772T IP5306 BSZ040N06LS5 TLE7270-2D IC שבב
BSZ040N06LS5
רמת הלוגיקה הלוגית של OptiMOS™ 5 MOSFET של Infineon מתאימה מאוד לטעינה אלחוטית, מתאם ויישומי טלקום.טעינת השער הנמוכה של המכשירים (Q g) מפחיתה את הפסדי המיתוג מבלי להתפשר על הפסדי הולכה.נתוני הכשרון המשופרים מאפשרים פעולות בתדרי מיתוג גבוהים.יתר על כן, הכונן ברמה הלוגית מספק סף שער נמוךמתח החזקה (V GS(th)) המאפשר להניע את ה-MOSFET ב-5V ישירות ממיקרו-בקרים.
סיכום תכונות
Low R DS(on) באריזה קטנה
טעינת שער נמוכה
טעינת פלט נמוכה יותר
תאימות ברמת היגיון
יתרונות
עיצובים בצפיפות הספק גבוהה יותר
תדירות מיתוג גבוהה יותר
מספר חלקים מופחת בכל מקום שבו זמינים אספקת 5V
מונע ישירות ממיקרו-בקרים (מעבר איטי)
הפחתת עלויות המערכת
פרמטרים
| פרמטרים | BSZ040N06LS5 |
| מחיר תקציבי €/1k | 0.56 |
| Ciss | 2400 pF |
| Coss | 500 pF |
| מזהה (@25°C) מקסימום | 101 א |
| IDpuls max | 404 א |
| הַרכָּבָה | SMD |
| טמפרטורת עבודה מינימום מקסימום | -55 מעלות צלזיוס 150 מעלות צלזיוס |
| Ptot max | 69 W |
| חֲבִילָה | PQFN 3.3 x 3.3 |
| ספירת סיכות | 8 סיכות |
| קוטביות | N |
| QG (סוג @4.5V) | 18 nC |
| Qgd | 5.3 nC |
| RDS (מופעל) (@4.5V LL) מקסימום | 5.6 mΩ |
| RDS (מופעל) (@4.5V) מקסימום | 5.6 mΩ |
| RDS (מופעל) (@10V) מקסימום | 4 mΩ |
| מקסימום Rth | 1.8 K/W |
| RthJA מקסימום | 62 K/W |
| RthJC מקסימום | 1.8 K/W |
| VDS מקסימום | 60 V |
| VGS(th) min מקסימום | 1.7 V 1.1 V 2.3 V |
כתבו כאן את הודעתכם ושלחו אותה אלינו
