IPD068P03L3G רכיבים אלקטרוניים מקוריים חדשים ושירות MCU BOM שבב IC במלאי IPD068P03L3G
תכונות המוצר
| סוּג | תיאור |
| קטגוריה | מוצרי מוליכים למחצה דיסקרטיים |
| מר | אינפיניון טכנולוגיות |
| סִדרָה | OptiMOS™ |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) סרט חתוך (CT) Digi-Reel® |
| סטטוס המוצר | פָּעִיל |
| סוג FET | P-Channel |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (תחמוצת מתכת) |
| מתח ניקוז למקור (Vdss) | 30 V |
| זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 70A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 150µA |
| טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs | 91 nC @ 10 V |
| Vgs (מקסימום) | ±20V |
| קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds | 7720 pF @ 15 V |
| תכונת FET | - |
| פיזור כוח (מקסימום) | 100W (Tc) |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| סוג הרכבה | מתקן משטח |
| חבילת מכשירי ספק | PG-TO252-3 |
| חבילה / מארז | TO-252-3, DPak (2 לידים + Tab), SC-63 |
| מספר מוצר בסיס | IPD068 |
מסמכים ומדיה
| סוג משאב | קישור |
| גיליונות נתונים | IPD068P03L3 G |
| מסמכים קשורים אחרים | מדריך מספר חלק |
| מוצר נבחר | מערכות עיבוד נתונים |
| גיליון נתונים HTML | IPD068P03L3 G |
| דגמי EDA | IPD068P03L3GATMA1 מאת Ultra Librarian |
סיווגי סביבה ויצוא
| תְכוּנָה | תיאור |
| מצב RoHS | תואם ROHS3 |
| רמת רגישות לחות (MSL) | 1 (ללא הגבלה) |
| מצב REACH | REACH לא מושפע |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
משאבים נוספים
| תְכוּנָה | תיאור |
| שמות אחרים | IPD068P03L3GATMA1DKR IPD068P03L3GATMA1-ND SP001127838 IPD068P03L3GATMA1CT IPD068P03L3GATMA1TR |
| חבילה סטנדרטית | 2,500 |
טרָנזִיסטוֹר
טרנזיסטור הוא אמכשיר מוליכים למחצההיהלהגביראוֹהחלףאותות חשמליים וכּוֹחַ.הטרנזיסטור הוא אחד מאבני הבניין הבסיסיות של המודרנימכשירי חשמל.[1]זה מורכב מחומר מוליכים למחצה, בדרך כלל עם לפחות שלושהמסופיםלחיבור למעגל אלקטרוני.אמתחאוֹנוֹכְחִיהמופעל על זוג אחד של מסופים של הטרנזיסטור שולט בזרם דרך זוג מסופים אחר.מכיוון שההספק המפוקח (הפלט) יכול להיות גבוה יותר מהספק השליטה (הקלט), טרנזיסטור יכול להגביר אות.חלק מהטרנזיסטורים ארוזים בנפרד, אך רבים נוספים נמצאים משובציםמעגלים משולבים.
אוסטרו-הונגרית פִיסִיקַאִי יוליוס אדגר לילינפלדהציע את המושג אטרנזיסטור אפקט שדהבשנת 1926, אך לא ניתן היה לבנות בפועל מכשיר עובד באותה תקופה.[2]מכשיר העבודה הראשון שנבנה היה אטרנזיסטור מגע נקודתיהומצא ב-1947 על ידי פיזיקאים אמריקאיםג'ון ברדיןווולטר ברטןתוך כדי עבודה מתחתוויליאם שוקליבְּ-מעבדות פעמון.השלושה חלקו את 1956פרס נובל לפיזיקהעל ההישג שלהם.[3]הסוג הנפוץ ביותר של טרנזיסטור הואטרנזיסטור אפקט שדה מתכת-תחמוצת-מוליכים למחצה(MOSFET), שהומצא על ידימוחמד אטאלהודאון קאהנגב-Bell Labs בשנת 1959.[4][5][6]טרנזיסטורים חוללו מהפכה בתחום האלקטרוניקה, וסללו את הדרך לקטנים וזולים יותררדיו,מחשבונים, ומחשבים, בין השאר.
רוב הטרנזיסטורים עשויים מטהור מאודסִילִיקוֹן, וכמה מגרמניום, אבל לפעמים משתמשים בחומרים מסוימים אחרים של מוליכים למחצה.לטרנזיסטור יכול להיות רק סוג אחד של נושאי מטען, בטרנזיסטור בעל אפקט שדה, או שיהיו לו שני סוגים של נושאי מטען בטרנזיסטור צומת דו קוטבימכשירים.בהשוואה לצינור ואקום, טרנזיסטורים הם בדרך כלל קטנים יותר ודורשים פחות כוח לפעול.לשפופרות ואקום מסוימות יש יתרונות על פני טרנזיסטורים בתדרי פעולה גבוהים מאוד או מתחי פעולה גבוהים.סוגים רבים של טרנזיסטורים מיוצרים לפי מפרטים סטנדרטיים על ידי מספר יצרנים.
